Hochzuverlässige und selbst entwickelte D2PAK (TO-263) SiC-Diode
Vorteile der D2PAK (TO-263) SiC-Diode von YUNYI:
1. Niedrige Induktivität
2. Wettbewerbsfähige Kosten bei hoher Qualität.
3. Hohe Produktionseffizienz bei kurzer Vorlaufzeit.
4. Kleine Größe, hilft, den Platz auf der Leiterplatte zu optimieren

Schritte der Chipherstellung:
1. Mechanisches Drucken (Hochpräziser automatischer Waferdruck)
2. Automatisches Erstätzen (Automatische Ätzanlage, CPK > 1,67)
3. Automatischer Polaritätstest (Präziser Polaritätstest)
4. Automatische Montage (selbstentwickelte automatische Präzisionsmontage)
5. Löten (Schutz mit einer Mischung aus Stickstoff und Wasserstoff beim Vakuumlöten)
6. Automatisches Zweitätzen (Automatisches Zweitätzen mit ultrareinem Wasser)
7. Automatisches Kleben (gleichmäßiges Kleben und präzise Berechnung werden durch automatische, präzise Klebegeräte realisiert)
8. Automatischer Thermotest (Automatische Auswahl durch Thermotester)
9. Automatischer Test (Multifunktionstester)


Parameter der Produkte:
Teilenummer | Paket | VRWM V | IO A | IFZM A | IR μa | VF V |
ZICRB5650 | D2PAK | 650 | 5 | 60 | 60 | 2 |
ZICRB6650 | D2PAK | 650 | 6 | 60 | 50 | 2 |
Z3D06065G | D2PAK | 650 | 6 | 70 | 3 (0,03 typisch) | 1,7 (1,5 typisch) |
ZICRB10650CT | D2PAK | 650 | 10 | 60 | 60 | 1.7 |
ZICRB10650 | D2PAK | 650 | 10 | 110 | 100 | 1.7 |
Z3D10065G | D2PAK | 650 | 10 | 115 | 40 (0,7 typisch) | 1,7 (typischerweise 1,45) |
ZICRB20650A | D2PAK | 650 | 20 | 70 | 100 | 1.7 |
ZICRB101200 | D2PAK | 1200 | 10 | 110 | 100 | 1.8 |
ZICRB12600 | D2PAK | 600 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
ZICRB12650 | D2PAK | 650 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
Z3D30065G | D2PAK | 650 | 30 | 255 | 140 (4 typisch) | 1,7 (1,4 typisch) |
Z4D05120G | D2PAK | 1200 | 5 | 19 | 200 (20 typisch) | 1,8 (typischerweise 1,65) |
Z4D20120G | D2PAK | 1200 | 20 | 162 | 200 (35 typisch) | 1,8 (1,5 typisch) |
Z3D20065G | D2PAK | 650 | 20 | 170 | 50 (typischerweise 1,5) | 1,7 (typischerweise 1,45) |
Z3D06065L | DFN8×8 | 650,0 | 6,0 | 70,0 | 3 (0,03 typisch) | 1,7 (1,5 typisch) |