Hochzuverlässige und selbst entwickelte D2PAK (TO-263) SiC-Diode
Vorteile der D2PAK (TO-263) SiC-Diode von YUNYI:
1. Niedrige Induktivität
2. Wettbewerbsfähige Kosten bei hoher Qualität.
3. Hohe Produktionseffizienz bei kurzer Vorlaufzeit.
4. Kleine Größe, hilft, den Platz auf der Leiterplatte zu optimieren

Schritte der Chipherstellung:
1. Mechanisches Drucken (hochpräziser automatischer Waferdruck)
2. Automatisches Erstätzen (Automatische Ätzausrüstung, CPK>1,67)
3. Automatischer Polaritätstest (Präziser Polaritätstest)
4. Automatische Montage (selbst entwickelte automatische präzise Montage)
5. Löten (Schutz mit einer Mischung aus Stickstoff und Wasserstoff-Vakuumlöten)
6. Automatisches Nachätzen (Automatisches Nachätzen mit Reinstwasser)
7. Automatisches Kleben (gleichmäßiges Kleben und präzise Berechnung werden durch automatische Präzisionsklebegeräte realisiert)
8. Automatischer thermischer Test (automatische Auswahl durch thermischen Tester)
9. Automatischer Test (Multifunktionstester)


Produktparameter:
Teilenummer | Paket | VRWM V | IO A | IFZM A | IR μa | VF V |
ZICRB5650 | D2PAK | 650 | 5 | 60 | 60 | 2 |
ZICRB6650 | D2PAK | 650 | 6 | 60 | 50 | 2 |
Z3D06065G | D2PAK | 650 | 6 | 70 | 3 (0,03 typisch) | 1,7 (1,5 typisch) |
ZICRB10650CT | D2PAK | 650 | 10 | 60 | 60 | 1.7 |
ZICRB10650 | D2PAK | 650 | 10 | 110 | 100 | 1.7 |
Z3D10065G | D2PAK | 650 | 10 | 115 | 40 (0,7 typisch) | 1,7 (1,45 typisch) |
ZICRB20650A | D2PAK | 650 | 20 | 70 | 100 | 1.7 |
ZICRB101200 | D2PAK | 1200 | 10 | 110 | 100 | 1.8 |
ZICRB12600 | D2PAK | 600 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
ZICRB12650 | D2PAK | 650 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
Z3D30065G | D2PAK | 650 | 30 | 255 | 140 (4 typisch) | 1,7 (1,4 typisch) |
Z4D05120G | D2PAK | 1200 | 5 | 19 | 200 (20 typisch) | 1,8 (1,65 typisch) |
Z4D20120G | D2PAK | 1200 | 20 | 162 | 200 (35 typisch) | 1,8 (1,5 typisch) |
Z3D20065G | D2PAK | 650 | 20 | 170 | 50 (1,5 typisch) | 1,7 (1,45 typisch) |
Z3D06065L | DFN8×8 | 650,0 | 6,0 | 70,0 | 3 (0,03 typisch) | 1,7 (1,5 typisch) |