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Hochwertige und langlebige DO-218AB-Transientenspannungsunterdrücker (TVS) der SM8S-Serie

Kurze Beschreibung:

Verpackungsstil: SM8S (DO-218AB)

Einführung: Hochwertige und langlebige Transientenspannungsunterdrücker (TVS) SM8S (DO-218AB) werden verwendet, um anfällige Schaltkreise vor Schäden durch transienten Strom und dramatische Spannungsänderungen zu schützen.Das TVS von YUNYI verfügt über eine starke Reverse-Surge-Fähigkeit.Bei einer Temperatur von 175℃ kann die Diode weiterhin wie gewohnt arbeiten.Die extrem stabilen, oberflächenmontierbaren PAR®-Transientenspannungsunterdrücker (TVS) DO-218AB SM8S dienen als Schutz und verhindern, dass der Stromkreis durch plötzliche Spannungsänderungen beschädigt wird.


Produktdetail

Überwachung der Reaktionszeit

Messbereich

Produkt Tags

Vorteile von DO-218AB SM8S:

Vorteile von YUNYIs TVS:

1. Dank der Technologie der chemischen Ätzmethode werden die negativen Ergebnisse direkter Schneidmittel eliminiert.

2. Extrem niedrige Ausfallrate bei verschiedenen Wetterbedingungen und in unterschiedlichen Gebieten

3. Hohe Produktionseffizienz bei kurzer Vorlaufzeit

4. Wettbewerbsfähige Kosten bei hoher Qualität.

5. Kraftvoll im Rückwärtsstoß aufgrund des größeren Chips als bei Gegenstücken.

SM8S

Prozess der Chipproduktion:

1. Mechanisches Drucken (hochpräziser automatischer Waferdruck)

2. Automatisches Erstätzen (Automatische Ätzausrüstung, CPK>1,67)

3. Automatischer Polaritätstest (Präziser Polaritätstest)

4. Automatische Montage (selbst entwickelte automatische präzise Montage)

5. Löten (Schutz mit einer Mischung aus Stickstoff und Wasserstoff-Vakuumlöten)

6. Automatisches Nachätzen (Automatisches Nachätzen mit Reinstwasser)

7. Automatisches Kleben (gleichmäßiges Kleben und präzise Berechnung werden durch automatische Präzisionsklebegeräte realisiert)

8. Automatischer thermischer Test (automatische Auswahl durch thermischen Tester)

9. Automatischer Test (Multifunktionstester)

贴片检测
芯片检测

Parameter:

Artikelnummer

VRWM

VBR@IT

IT

IR@VRWM

IPP

Vc @ IPP

Uni

Bi

MaxV

Min(V)

Max (V)

mA

Max(μA)

A

V

SM8S10A

SM8S10CA

10

11.1

12.3

5

15

10

388,00

SM8S11A

SM8S11CA

11

12.2

13.5

5

10

11

363,00

SM8S12A

SM8S12CA

12

13.3

14.7

5

10

12

332,00

SM8S13A

SM8S13CA

13

14.4

15.9

5

10

13

307,00

SM8S14A

SM8S14CA

14

15.6

17.2

5

10

14

284,00

SM8S15A

SM8S15CA

15

16.7

18.5

5

10

15

270,00

SM8S16A

SM8S16CA

16

17.8

19.7

5

10

16

254,00

SM8S17A

SM8S17CA

17

18.9

20.9

5

10

17

239,00

SM8S18A

SM8S18CA

18

20

22.1

5

10

18

226,00

SM8S20A

SM8S20CA

20

22.2

24.5

5

10

20

204,00

SM8S22A

SM8S22CA

22

24.4

26.9

5

10

22

186,00

SM8S24A

SM8S24CA

24

26.7

29.5

5

10

24

170,00

SM8S26A

SM8S26CA

26

28.9

31.9

5

10

26

157,00

SM8S28A

SM8S28CA

28

31.1

34.4

5

10

28

145,00

SM8S30A

SM8S30CA

30

33.3

36.8

5

10

30

136,00

SM8S33A

SM8S33CA

33

36.7

40.6

5

10

33

124,00

SM8S36A

SM8S36CA

36

40

44.2

5

10

36

114,00

SM8S40A

SM8S40CA

40

44.4

49.1

5

10

40

102,00

SM8S43A

SM8S43CA

43

47,8

52,8

5

10

43

95.10

 


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