Ultrastabiler oberflächenmontierter PAR®-Überspannungsschutz (TVS) DO-218AB SM8S
Vorteile des DO-218AB SM8S:
1. Aufgrund der Technologie des chemischen Ätzverfahrens werden die negativen Ergebnisse des direkten Schneidens beseitigt.
2. Leistungsstark im Rückstoß wegen des größeren Chips als Gegenstücke.
3. Extrem niedrige Ausfallrate bei unterschiedlichen Wetterbedingungen und Gebieten
4. Genehmigt durch Standard AEC-Q101
5. Die Funktionen der Diode sind optimiert und profitieren vom wissenschaftlichen Schutz des PN-Übergangs.
HAUPTEIGENSCHAFTEN:
VBR: 11,1 V bis 52,8 V
VWM: 10 V bis 43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
PD: 8 W
IFSM: 700 A
TJmax.: 175 °C
Polarität: Unidirektional
Paket: DO-218AB
Verfahren der Chip-Produktion
1. Automatischer Druck（Ultrapräziser automatischer Waferdruck）
2. Automatisches Erstätzen（Automatisches Ätzgerät，CPK>1,67）
3. Automatischer Polaritätstest (präziser Polaritätstest)
4. Automatische Montage (selbst entwickelte automatische präzise Montage)
5. Löten (Schutz mit Mischung aus Stickstoff und Wasserstoff
Vakuumlöten )
6. Automatisches Zweitätzen (Automatisches Zweitätzen mit Reinstwasser)
7. Automatisches Kleben (gleichmäßiges Kleben und präzise Berechnung werden durch automatische präzise Klebegeräte realisiert)
8. Automatischer thermischer Test (automatische Auswahl durch thermischen Tester)
9. Automatischer Test (Multifunktionaler Tester)
